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不銹鋼晶間腐蝕是一種常見的局部腐蝕，沿金屬或合金晶粒鴻溝或其接近區域進行腐蝕， 晶粒腐蝕非常纖細，稱為晶間腐蝕，大大削弱了晶粒之間的結合力。如果情況嚴重，會使不銹鋼在正常載荷下失去強度和延展性并破裂。現代晶間腐蝕理論主要包括貧鉻理論和晶界雜質選擇溶解理論。
根據貧鉻理論，常用的奧氏體不銹鋼在氧化或弱氧化介質中發生晶間腐蝕的80%是由于加工或使用過程中加熱不當造成的。所謂加熱不當，是指鋼加熱或緩慢冷卻450～850 在℃溫下，鋼會對晶間腐蝕敏感。因此，該溫度是奧氏體不銹鋼的危險溫度。
不銹鋼材料出廠時已固溶，即將鋼加熱至1050～1150 淬火后的目的是獲得均相固溶體。奧氏體鋼含有少量碳，隨著溫度的降低，碳在奧氏體中的固溶性降低。如0Cr18Ni9Ti，11000 碳的固溶度約為0.2%，在500℃～700℃時，約為0.02%。因此，經固溶處理的鋼碳過飽和。
當不銹鋼加熱或冷卻450時～在850℃時，碳可以形成（Fe 、Cr）23C6 晶界分布在奧氏體中。（Fe、Cr）23C6的鉻含量遠高于奧氏體基體。它在晶體邊界附近消耗了大量的鉻，所消耗的鉻不能在晶粒松弛后及時得到補償。
由于鉻的松弛速度很慢，晶界附近的鉻含量低于鈍化的必要定量（即12） %Cr），構成貧鉻區，因此鈍態被破壞。晶界附近區域的電位下降，晶粒本身仍然堅持鈍態，電位高，晶粒和晶界形成活態———鈍微電偶電池具有大陰極和小陽極的面積比，導致晶界區不銹鋼腐蝕。
在生產實踐中，我們還了解到，奧氏體不銹鋼在強氧化介質（如濃硝酸）中也可能發生晶間腐蝕，但腐蝕不同于氧化介質或弱氧化介質。一般發生在固溶鋼上，一般不發生過敏鋼。
當固溶體中含有磷時，雜質達到100ppmm 當硅雜質為1000-2000ppm時，它們會在晶界上分析。這些雜質在強氧化介質的作用下溶解，導致晶間腐蝕。當鋼經過敏化處理時，碳和磷可以產生（MP）23C6，或者由于碳的主要偏析限制了磷向晶界的松弛，這兩種情況都會消除或減少晶界雜質的偏析，從而消除或削弱鋼對晶間腐蝕的敏感性。
上述兩種解釋晶間腐蝕機理的理論適用于某些合金的組織和某些介質，而不是相互排斥，而是相互補償。生產實踐中最常見的不銹鋼晶間腐蝕大多發生在弱氧化或氧化介質中，因此大多數腐蝕實例可以用貧鉻理論來解釋。
根據貧鉻理論，常用的奧氏體不銹鋼在氧化或弱氧化介質中發生晶間腐蝕的80%是由于加工或使用過程中加熱不當造成的。所謂加熱不當，是指鋼加熱或緩慢冷卻450～850 在℃溫下，鋼會對晶間腐蝕敏感。因此，該溫度是奧氏體不銹鋼的危險溫度。不銹鋼材料出廠時已固溶，即將鋼加熱至1050～1150 淬火后的目的是獲得均相固溶體。奧氏體鋼含有少量碳，隨著溫度的降低，碳在奧氏體中的固溶性降低。如0Cr18Ni9Ti，11000 碳的固溶度約為0.2%，在500℃～700℃時，約為0.02%。因此，經固溶處理的鋼碳過飽和。
當不銹鋼加熱或冷卻450時～在850℃時，碳可以形成（Fe 、Cr）23C6 晶界分布在奧氏體中。（Fe、Cr）23C6的鉻含量遠高于奧氏體基體。它在晶體邊界附近消耗了大量的鉻，所消耗的鉻不能在晶粒松弛后及時得到補償。
由于鉻的松弛速度很慢，晶界附近的鉻含量低于鈍化的必要定量（即12） %Cr），構成貧鉻區，因此鈍態被破壞。晶界附近區域的電位下降，晶粒本身仍然堅持鈍態，電位高，晶粒和晶界形成活態———鈍微電偶電池具有大陰極和小陽極的面積比，導致晶界區不銹鋼腐蝕。在生產實踐中，我們還了解到，奧氏體不銹鋼在強氧化介質（如濃硝酸）中也可能發生晶間腐蝕，但腐蝕不同于氧化介質或弱氧化介質。一般發生在固溶鋼上，一般不發生過敏鋼。
當固溶體中含有磷時，雜質達到100ppmm 當硅雜質為1000-2000ppm時，它們會在晶界上分析。這些雜質在強氧化介質的作用下溶解，導致晶間腐蝕。當鋼經過敏化處理時，碳和磷可以產生（MP）23C6，或者由于碳的主要偏析限制了磷向晶界的松弛，這兩種情況都會消除或減少晶界雜質的偏析，從而消除或削弱鋼對晶間腐蝕的敏感性。
上述兩種解釋晶間腐蝕機理的理論適用于某些合金的組織和某些介質，而不是相互排斥，而是相互補償。生產實踐中最常見的不銹鋼晶間腐蝕大多發生在弱氧化或氧化介質中，因此大多數腐蝕實例可以用貧鉻理論來解釋。
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